文件名称：MgO/MgIn2O4/In2O3体系中电场驱动相边界的微观研究
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更新时间：2024-07-19 15:13:32
学术 论文
MgO / MgIn2O4 /In2O3 系统中电场驱动相边界的微观研究 MgO / MgIn2O4 / In2O3 系统中电场驱动相边界的微观研究 C. Kortea,*, D. Hesseb, H. Schmalzriedc, CB Carterd aPhysikalisch-化学研究所, Justus-Liebig-Universität Gießen bMax-Planck-Institut für Mikrosstrukturphysik, Halle (Saale) cInstitut für Physikalische Chemie und Elektrochemie, Universität Hannover d 固体React，美国明尼苏达科学工程大学 电场; 晶界多相或多层陶瓷是技术相关的材料。 由于正在进行的小型化，表面和相界尤其受到关注。 由于扩散传输的距离很短，在宏观长度尺度上可忽略不计的固态React变得很重要。 除了高温，陶瓷材料还经常暴露在高电场中。 宏观和微观层面的固态React已经在文献[1, 2]中进行了广泛的描述。 尽管薄膜应用很重要，但只有