绝缘栅双极型功率管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)

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文件名称：绝缘栅双极型功率管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)

文件大小：40KB

文件格式：DOC

更新时间：2012-04-25 18:35:29

绝缘栅 双极型 功率管 IGBT

　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。