文件名称：甲氧基在Ir(111)表面吸附的密度泛函理论研究 (2014年)
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更新时间：2024-05-27 12:02:08
自然科学 论文
本文采用第一性原理和周期平板模型相结合的方法，对甲氧基在Ir(111)表面top, bridge, fcc和hcp位的吸附模型进行了构型优化、能量计算、Mulliken电荷布居分析以及差分电荷密度计算。结果表明，甲氧基通过氧原子与金属表面相互作用时，垂直吸附在fcc位是最有利的吸附构型，吸附能为2.26 eV，此时电子从金属表面向甲氧基转移。吸附过程中C-O键振动频率发生红移，表明在该表面C-O键容易被活化。结合差分电荷密度分析表明，吸附时CH3O中氧的2p原子轨道和铱的dz2原子轨道相互作用形成σ键。