论文研究-802.16e低噪声放大器设计 .pdf

时间:2022-09-07 15:18:50
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更新时间:2022-09-07 15:18:50

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802.16e低噪声放大器设计,徐天翱,陈永泰,本文利用安捷伦的E-pHEMT(增强型伪高电子迁移率晶体管)GaAsFET ATF-551M4,设计了一个基于环氧树脂玻璃布层压板FR4工作在3.4-3.6GHz,可用于IEE


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