文件名称：3．1-10．6GHz超宽带低噪声放大器设计 (2007年)
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更新时间：2024-06-09 07:51:43
自然科学 论文
采用标准0.35μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1-10.6GHz的超宽带低噪声放大器。从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计。结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35 μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器。在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输人输出匹配Sll和S22均优于-8 dB,噪声系数为3.5 dB,电路的工作电压为2.5 V,电流消耗为4.38 mA。