文件名称：一种高增益低噪声CMOS混频器设计* (2009年)
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更新时间：2024-05-30 04:13:50
工程技术 论文
设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器，通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流，改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益。采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计，在本振(LO)信号的频率为1.571 GHz，射频(RF)信号频率为1.575 GHz时，混频器的增益为17．5 dB，噪声系数(NF)为8．35 dB，三阶交调截止点输人功率(IIP3)为-4．6 dBm。混频器工作电压1．8 V，直流电流为8．8 mA，版图总面积为0．63 mm×0．