IGBT详细总结资料

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文件名称：IGBT详细总结资料

文件大小：172KB

文件格式：DOC

更新时间：2011-11-14 12:41:16

包括静态和动态两类：

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。 IGBT的驱动方法和 MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。