文件名称：聚苯胺中次近邻电子跳跃对光激发孤子性质的影响 (2010年)
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更新时间：2024-06-20 02:54:21
自然科学 论文
在Baranowski-Bvitter-Voit(BBV)模型的基础上，考虑了次近邻电子跳跃对PNB(pemigraniline-base)聚合物中带负电孤子和正电孤子能级结构、晶格位形及电荷密度分布的影响．结果表明：逐渐增强的次近邻作用可使两类孤子导带宽度变小，价带宽度变大，电子的跃迁能逐渐增大；孤子的宽度基本不变；负电孤子的电荷密度分布振荡加强，正电孤子的则减弱．初步确定孤子晶格中的次近邻电子跳跃强度β≤0．04．