文件名称：组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较 (2004年)
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更新时间：2024-06-08 23:34:59
自然科学 论文
用LSS理论，计算了注入能量为180keV，注入剂量为1×1013～5×1015ion/cm2的N+/As+组合离子注入Si的杂质浓度分布，由X射线衍射的运动学理论，利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线，得到了晶格应变随注入深度的分布，并将二者进行了比较。结果表明N+/As+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰，位于杂质浓度分布曲线的双峰之间，靠近重离子峰。