论文研究-无结FinFET电学特性仿真分析与研究 .pdf

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文件名称：论文研究-无结FinFET电学特性仿真分析与研究 .pdf
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更新时间：2022-09-05 09:22:59
金属-氧化物-半导体（MOS）器件 无结FinFET电学特性仿真分析与研究，单婵，王颖，本文针对无结FinFET器件的电学特性进行了仿真研究。无结器件与传统反型器件相比，不含有PN结（传统反型器件在源区和漏区存在PN结）��