文件名称：不同栅压下NMOS器件的静电防护性能 (2010年)
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更新时间：2024-06-15 12:36:40
工程技术 论文
针对金属硅化物亚微米工艺，研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力．在0.35 μm CMOS工艺下，设计不同尺寸的NMOS静电防护器件，采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流一电压曲线．借助半导体器件仿真软件ISE-TCAD对器件进行瞬态仿真，得出在不同栅压下的电场强度分布．分析表明，栅压使得电流更趋于表面流动而降低NMOS静电防护器件的二次击穿电流．在设计回跳型栅极耦合NMOS静电防护器件时，辅助触发电路的RC时间常数应该控制在50 ns左