垂直外腔面发射激光器的模拟分析 (2011年)

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文件名称：垂直外腔面发射激光器的模拟分析 (2011年)
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更新时间：2021-05-09 22:16:46
自然科学 论文 垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级，制作成本高，有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真，实现优化。通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真，获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲线及子腔谐振谱线等特性。结果表明，InGaAs/GaAsP/A1GaAs材料体系能够有效地吸收808 nm的泵浦光，产生足够多的光生载流子（电子―空穴对），这些载流子能轻易地渡越应变补偿层，被量子阱俘获，产生复合发光。其发光带隙1.25 eV，相应波长992 nm，接近