低温烧结PZT压电陶瓷的研究 (1988年)

时间:2024-06-04 02:19:46
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文件名称:低温烧结PZT压电陶瓷的研究 (1988年)

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更新时间:2024-06-04 02:19:46

自然科学 论文

对PZT压电陶瓷的低温烧结进行了研究。实验发现,在PZT陶瓷中添加少量低熔玻璃(xB2O3-чBi2O3-zCdO)可使烧结温度从1250℃降低至960℃。其性能参数:Kp≥0.52~0.56,Qm≥1000,ε33T/ε0=800~1200,tgδ≤5×10-3.借助于扫描电镜(SEM)、电子探针微区分析(EPMA)、X光光电子能谱分析(XPS)和体积烧缩速率的测量,对陶瓷显微结构、烧结机理和添加剂的作用进行了讨论,所研制的低温烧结瓷料巳用于制备独石压电陶瓷变压器,其空载交流升压比可高达9000以上。


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