文件名称:Analog Circuit and Device Interaction in High-Speed SerDes
文件大小:722KB
文件格式:PDF
更新时间:2020-10-01 07:46:07
serdes 半导体工艺 FinFET
Avago工程师在2014年发表的paper,关于使用FinFET工艺设计SerDes电路模拟前端 针对28Gb/s SerDes,对比了28nm 平面CMOS工艺与16nm FinFET工艺对电路性能的影响
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serdes 半导体工艺 FinFET
Avago工程师在2014年发表的paper,关于使用FinFET工艺设计SerDes电路模拟前端 针对28Gb/s SerDes,对比了28nm 平面CMOS工艺与16nm FinFET工艺对电路性能的影响