使用PVT生长SiC晶体的籽晶固定方法详细说明

【文件属性】：
文件名称：使用PVT生长SiC晶体的籽晶固定方法详细说明
文件大小：549KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-07-07 03:35:49
SiC晶体 本发明提供一种 PVT 法生长 SiC 晶体的籽晶固定方法，包括，将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面 ；将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上，使所述连接件可靠固定于所述籽晶托，并使所述籽晶晶片紧贴所述端部的端面。本发明可以确保籽晶与籽晶托之间实现可靠的粘结固定，并且避免在籽晶背面涂刷粘结剂导致的不良影响，同时，籽晶中心大部分区域与籽晶托紧密接触，温度梯度分布均匀，有利于 SiC 晶体的均匀生长，进一步提高 SiC 晶体的质量。