MOS管器件击穿机理分析

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文件名称：MOS管器件击穿机理分析

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更新时间：2021-12-27 04:52:27

硬件

讨论了管击穿的分类, 以及击穿时场强分布情况, 在此基拙上, 列举和分析了 管击穿的发生区域, 主要是结击穿和漏区击穿文章对雪崩击穿和穿通击穿机理进行了描述, 并对 管开启击穿进行了分析。 关键词：击穿场强