应变AIN表面生长动力学 (2015年)

【文件属性】：
文件名称：应变AIN表面生长动力学 (2015年)
文件大小：488KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-14 02:58:31
自然科学 论文 AIN半导体通常在异质衬底上外延，生长过程中往往承受较大的晶格失配应力．基于第一性原理，研究了应变 AIN表面生长基元，如Al和N原子以及Al-Nn团簇的微观生长动力学．与非应变AlN比较显示．N原子形成焓有所提升，难以形成稳定吸附；而Al原子则由活跃转为稳定吸附．通过比较不同团簇表明，Al-N3团簇结合能远低于Al-N、Al- N2和Al-N4团簇，最为稳定．进一步计算不同生长氛围下形成焓差异的结果显示，应变Al-N3团簇形成焓略有提升，但总体仍呈现稳定吸附的特性．基于各生长基元在不同生长氛围下应变Al