文件名称：Neue viergliedrige GaE- und InE-Ringverbindungen: Synthese und Kristallstruktur von [Et2InE(SiMe3)2]2 und [GaCl(PtBu2Me)E(SiMe3)]2 (E[hairsp]=[hairsp]P, As)
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更新时间：2024-07-19 11:45:08
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Neue viergliedrige GaE- und InE-Ringverbindungen: Synthese und Kristallstruktur von [Et2InE(SiMe3)2]2 und [GaCl(PtBu2Me)E(SiMe3)]2 (E[hairsp]=[hairsp]P, As) Neue viergliedrige GaE- und InE-Ringverbindungen: Synthese und Kristallstruktur von [Et2InE(SiMe3)2]2 und [GaCl(PtBu2Me)E(SiMe3)]2 (E = P, As) Carsten von HaÈnisch* Karlsruhe, Forschungszentrum Karlsruhe, Institut fuÈ r Nanotechnologie Bei der Redaktion eingegangen am 24. Juli 2000. InhaltsuÈ bersicht. Et3In ´ PR3 (R = Et, iPr) reagier