Neue viergliedrige GaE- und InE-Ringverbindungen: Synthese und Kristallstruktur von [Et2InE(SiMe3)2]2 und [GaCl(PtBu2Me)E(SiMe3)]2 (E[hairsp]=[hairsp]P, As)

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文件大小：138KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-29 17:58:28
学术 论文 Neue viergliedrige GaE- und InE-Ringverbindungen: Synthese und Kristallstruktur von [Et2InE(SiMe3)2]2 und [GaCl(PtBu2Me)E(SiMe3)]2 (E[hairsp]=[hairsp]P, As) Neue viergliedrige GaE- und InE-Ringverbindungen: Synthese und Kristallstruktur von [Et2InE(SiMe3)2]2 und [GaCl(PtBu2Me)E(SiMe3)]2 (E = P, As) Carsten von HaÈnisch* Karlsruhe, Forschungszentrum Karlsruhe, Institut fuÈ r Nanotechnologie Bei der Redaktion eingegangen am 24. Juli 2000. InhaltsuÈ bersicht. Et3In ´ PR3 (R = Et, iPr) reagier