文件名称：宽禁带半导体的湿法化学蚀刻.en.zh-CN
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更新时间：2024-07-16 08:32:06
宽禁带半导体
宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。在本文中，我们回顾了三种重要材料的湿法蚀刻，即 ZnO、GaN 和 SiC。虽然 ZnO 在包括 HNO3/HCl 和 HF/HNO3 在内的许多酸性溶液中以及在非酸性乙酰丙酮中很容易蚀刻，但 III 族氮化物和 SiC 很难湿蚀刻，通常使用干蚀刻。已经研究了用于 GaN 和 SiC 的各种蚀刻剂，包括无机酸和碱水溶液以及熔盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术有多种应用，包括缺陷装饰、极性和多型（对于 SiC）通过产生特征凹坑或小丘进行识别，以及在光滑表面上制造器件。在某些情况下，电化学蚀刻在室温下对 GaN 和 SiC 是成功的。此外，光辅助湿蚀刻产生类似的速率，与晶体极性无关。