文件名称：研究论文-一种低功耗CMOS过温保护电路的设计.pdf
文件大小：500KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-08-27 09:13:55
现代电子技术
针对传统过温保护（OTP）电路的温度阈值点和迟滞量受电源电压影响较大和功耗大等缺点，基于0.18 μm BCD工艺，设计了一种新型的高稳定和低功耗的过温保护电路。通过引入带有温度系数电流的反馈技术实现温度阈值点和迟滞量。Hspice仿真结果表明，当温度达到138℃时，能准确地关闭系统，达到保护电路的目的；当温度降低126℃时，系统恢复正常工作。电源电压在3~5 V之间变化时，过温保护的温度阈值点和迟滞漂移量分别为1.75℃和0.05℃，该电路具有结构简单、功耗低和抗干扰能力强等特点，过温保护电路表现出优良的性能，满足了过温保护电路的低功耗和高稳定性的设计要求。