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文件名称：在空穴传输层中掺杂F4-TCNQ提高绿色有机电致发光器件性能 (2010年)
文件大小：231KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-15 16:35:18
自然科学 论文
研究了在空穴传输层2T-NATA中掺杂不同浓度的P型氧化剂F4-TCNQ制备高性能的绿色有机电致发光器件(OLED)。F4-TCNQ在空穴传输层2T-NA丁八中的掺杂浓度为8％(质量百分比)时(驱动电压为22 V),其亮度达到4 256 cd/m2,同时与未掺杂的器件相比,其最大发光效率由2.9 cd/A增大到3.4 cd/A.分析结果表明,OLED性能的改善主要归因于：首先,掺杂F4-TCNQ使得器件做到了欧姆接触,使消耗在ITO／空穴传输层界面的电压达到最小；其次,掺杂F4-TCNQ提高了载流子形成激