基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术 (2014年)

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文件名称：基二类超晶格中波红外焦平面探测器技术 (2014年)
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更新时间：2021-05-13 13:33:11
工程技术 论文 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势，成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一。本文报道了中波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的设计、生长、器件工艺技术，制备出了高性能的128×128中波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面探测器，像元暗电流密度降到1.8×10-7 A/cm2，量子效率达36.64%。