文件名称：氧化铜陶瓷的高介电性 (2012年)
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更新时间：2024-06-19 15:51:09
自然科学 论文
采用固相反应法制备了氧化铜(Cu0)陶瓷,得到不同频率下样品的介电随温度变化关系。通过X射线衍射图谱确定Cu0陶瓷为单斜相结构,形成了粒径大约为150 nm的晶粒。假定晶粒为被绝缘晶界隔离的半导体,通过cole-cole图得到静态介电常数和高频介电常数,运用Arrhenius关系计算出激活能,进而利用 Maxwell-Wagner机制进行理论拟合,与试验结果进行对比分析,表明Cu0陶瓷晶粒在低频段、低温区时具有半导体性。