大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现

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文件名称：大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系统中的设计与实现
文件大小：359KB
文件格式：DOC
更新时间：2011-11-05 06:53:16
NAND FLASH 存储空间是按照块和页的概念来组织的，一个芯片分为1 024个块，每个块有32页，每一页有528 B。528 B中分为512 B的数据区和16个字节的空闲区，空闲区用于存放ECC代码、坏块信息和文件系统相关代码。一个528 B的数据寄存器作为数据缓冲单元，用来实现I/0缓冲和存储器之间的数据传输。芯片的存储阵列组织如图2所示。