高扇入与/或逻辑的设计与实现 (2008年)

时间:2024-05-27 18:27:45
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文件名称:高扇入与/或逻辑的设计与实现 (2008年)

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更新时间:2024-05-27 18:27:45

自然科学 论文

针对高性能浮点乘加部件中的应用需求,全定制设计了高性能52位或门和108位与门。设计中使用HSPICE工具进行电路模拟,模拟时使用CSM 0.13 μm最慢工艺参数,电源电压为1.2 V,温度为25℃。根据各种实现方式的电路特性,使用相应的理论上电路最大延时的输入激励进行模拟,输入激励的频率为1.25 GHz,斜率为输入激励周期的10%。输出延时是每个输入周期中输入电压的50%到输出电压的50%之间的时间,最大延时是所有输入数据中的最长延时。根据不同的逻辑类型,设计实现了5种52位或门;选取了静态互补CM


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