文件名称：脉冲电源的驱动设计
文件大小：140KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-01-23 05:18:26
IGBT 驱动，IR2110
：IR2110是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动，具有独立的高、低侧参考输出。专有的HVIC和门闩免疫CMOS技术支持加固整体结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出相兼容，可分为3.3 v逻辑。O输出驱动具有一个高的脉冲电流缓冲阶段，设计用于最小驱动的交叉传导。在高频应用中，可以将传播延迟与简化相匹配。该浮动通道可用于驱动一个n通道功率MOSFET或IGBT在高侧配置，操作高达500或600伏特