文件名称：KH550修饰Al2O3及其对PI/Al2O3薄膜性能的影响* (2014年)
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更新时间：2024-06-19 23:44:50
工程技术 论文
通过调整KH550 的含量对Al2 O3粉体表面进行改性,并用红外光谱(FT-IR )和 X 射线衍射(XRD)对改性后的粉体进行表征,表征结果显示KH550 成功的键合到 Al2 O3粉体表面.然后分别使用Al2 O3以及改性Al2 O3制备了一系列无机粉体含量为1 6%(质量分数)的PI复合薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)对复合薄膜的断面微观形貌进行表征,并对复合薄膜的力学性能和击穿场强进行测试.测试结果显示KH550 的含量对无机粉体分散情况有较大影响.当 KH550 含量为 2%(质量分数)时,