文件名称：Discrete Isolated IGBT Gate Driv.pdf
文件大小：704KB
文件格式：PDF
更新时间：2023-08-13 09:41:33
IGBT 驱动
针对SiC MOSFET的基本特性，对其驱动和保护电路的设计提出以下要求：（1）驱动能力满足要求，要能够提供足够的驱动功率和驱动电流。（2）合理设置门极驱动电阻和Cgs电容，适当增大开关时间，减小di/dt和du/dt，降低电路寄生参数带来的桥臂串扰问题。（3）由于SiC MOSFET的导通阈值电压很低，为保证器件可靠关断，必须采取负压关断来抑制桥臂串扰。（4）PCB布局合理，减小驱动回路面积，避免门极电压振荡。