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文件名称：膜厚对三元混晶双层系中声子极化激元模的影响 (2008年)
文件大小：303KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-13 07:02:56
自然科学 论文
采用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究了薄膜厚度对由极性三元混晶组成的双层薄膜系统中的表面和界面声子极化激元的影响。以GaAs/A1.Ga1-xAs双层系统为例,获得了其中表面和界面声子极化激元作为膜厚之函数的数值结果并进 行了讨论。结果指出：在双层系统的六支表面和界面声子极化激元模中,当两种薄膜材料的厚度均变化时,只有三支界面声子极化激元的频率随之变化,而另外三支表面声子极化激元的频率则几乎不变。而当只有其中一种薄膜材料的厚度发生变化时,则只对其与另一种薄膜