文件名称：半导体器件物理-施敏
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更新时间：2013-01-26 05:46:25
半导体器件
微电子经典之作！ 译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1引言1.2晶体结构1.3能带和能隙1.4热平衡时的载流子浓度1.5载流子输运现象1.6声子、光学和热特性1.7异质结和纳米结构1.8基本方程和实例第2部分器件的基本构件第2章p-n结二极管2.1引言2.2耗尽区2.3电流-电压特性2.4结击穿2.5瞬变特性与噪声2.6端功能2.7异质结第3章金属-半导体接触3.1引言3.2势垒的形成3.3电流输运过程3.4势垒高度的测量3.5器件结构3.6欧姆接触第4章金属-绝缘体-半导体电容4.1引言4.2理想MIS电容4.3硅MOS电容第3部分晶体管第5章双极晶体管5.1引言5.2静态特性5.3微波特性5.4相关器件结构5.5异质结双极晶体管第6章MOS场效应晶体管6.1引言6.2器件的基本特性6.3非均匀掺杂和埋沟器件6.4器件按比例缩小和短沟道效应6.5MOSFET的结构6.6电路应用6.7非挥发存储器6.8单电子晶体管第7章JFET，MESFET和MODFET器件7.1引言7.2JFET和MODFET7.3MODFET第4部分负阻器件和功率器件第8章隧道器件8.1引言8.2隧道二极管8.3相关的隧道器件8.4共振遂穿二极管第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管第10章转移电子器件和实空间转移器件第11章晶闸管和功率器件第5部分光学器件和传感器第12章发光二极管和半导体激光器第13章光电探测器和太阳电池第14章传感器附录A.符号表B.国际单位制C.单位词头D.希腊字母表E.物理常数F.重要半导体的特性G.Si和GaAs的特性H.SiO2和Si3N4的特性