文件名称：S波段单片低噪声放大器 (2004年)
文件大小：326KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-29 10:53:40
自然科学 论文
S波段单片低噪声放大器采用了05μm 3英寸（76.2mm）砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺，由三级自偏电路构成，单电源（+5V）供电。对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后，随机抽取一定数量的样品装架测量，并对放大器进行了增益和相位的统计。统计表明：在S波段带宽300MHz范围内，增益在245～26dB范围内，相位线性度小于1°，相位偏差±7°，噪声系数最大14dB，输入输出驻波最大14，1dB压缩输出功率大于105dBm。另外，还对放大器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验。