论文研究-场板结构对AlGa/NGaN HFET电场分布的影响 .pdf

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文件名称：论文研究-场板结构对AlGa/NGaN HFET电场分布的影响 .pdf

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更新时间：2022-09-05 10:32:37

氮化镓

场板结构对AlGa/NGaN HFET电场分布的影响，王硕，张炜，随着化合物半导体功率器件的研究和发展，对于提高器件的耐压特性有着迫切的要求。场板结构可以有效的抑制横向型HFET器件栅极边缘��