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文件名称：应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN(英文) (2001年)
文件大小：293KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-18 11:05:01
自然科学 论文
应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中 ,在经过 80 0℃ ,1h的退火后 ,获得高空穴载流子浓度 (8 2 8× 10 17cm-3 )的P 型GaN。首次报道了实验上通过Mg离子注入到Mg生长掺杂的GaN中并获得高的表面空穴载流子浓度。