十二烷基胺/高岭石插层复合物的合成及其表征 (2012年)

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文件名称：十二烷基胺/高岭石插层复合物的合成及其表征 (2012年)
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更新时间：2021-05-18 09:13:16
自然科学 论文 利用极性有机大分子十二烷基胺插层高岭石，合成十二烷基胺/高岭石插层复合物。并运用XRD、FT-IR、TG、DSC等技术表征反应过程和产物特征。经十二烷基胺插层后，高岭石的d001值由0.717nm增加为2.280nm，层间距增加1.563nm，插层率为70%；十二烷基胺以 NH基团与高岭石四面体Si-0基形成氢键；高岭石/十二烷基胺插层复合物在215℃以下是稳定的。