包覆MgO对BaTiO3基陶瓷性能的影响 (2012年)

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文件名称：包覆MgO对BaTiO3基陶瓷性能的影响 (2012年)
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更新时间：2021-05-14 23:41:05
自然科学 论文 采用均匀沉淀法将MgO均匀地包覆在BaTiO3基陶瓷粉体表面，制备包覆MgO的BaTiO3基陶瓷复合粒子，研究了不同包覆量对BaTiO3基陶瓷的微观结构、微观形貌、介电性能、绝缘性能和击穿电压的影响。实验表明：包覆剂Mgo能有效抑制晶粒长大，从而获得晶粒均匀的陶瓷，此细晶效应是由于晶界区Mgo的抑制作用；Mgo有助于形成“壳一芯”结构晶粒，降低并展宽BaTiO3基陶瓷的ε峰，增加电阻率和击穿电压强度。