用光泵太赫兹-探针光谱研究ZnSe纳米晶体中太赫兹电导率的演变

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文件名称：用光泵太赫兹-探针光谱研究ZnSe纳米晶体中太赫兹电导率的演变
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更新时间：2021-05-11 17:51:49
研究论文 ZnSe纳米晶的超快载流子动力学和太赫兹电导率在室温下通过光泵太赫兹-探针光谱法研究。 在400 nm的激光脉冲激发下，太赫兹脉冲的负透射率显示出超快的上升，随后出现了双指数恢复。 时间常数为5 ps的快速衰变分量主要由ZnSe纳米粒子界面处的光载流子反向散射所决定，而时间常数大于1 ns的慢衰变分量可以归因于从带到带跃迁的载流子复合。 电导率随时间的演变表明，这种纳米结构是制造超快太赫兹开关的理想选择。