文件名称：熔硅浸渗工艺快速制备C/Sic复合材料的非等温氧化行为 (2007年)
文件大小：545KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-30 12:58:45
工程技术 论文
以针刺整体毡为预制体，采用化学气相沉积（CVD）增密制备C/C多孔体，用熔硅浸渗（MSI）工艺快速制备C/SiC复合材料，通过非等温热重分析研究材料低温下的氧化反应动力学和反应机理。结果表明：C/SiC材料的非等温氧化过程自催化特征，氧化机理为随机成核，氧化动力学参数为：lg（A/min-1）=8.752，Ea=169.167kJ/mol。MSI工艺中，纤维因硅化损伤产生的活性碳原子易先发生氧化，使C/SiC材料起始氧化温度仅为524℃，比C/C材料约低100℃，且氧化产生大量的裂纹和界面，使材料在氧化初