文件名称：论文研究-Performance Improvement of Oxide Thin-Film Transistors by a Two-Step-Annealing Method.pdf
文件大小：355KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-09 00:22:09
oxide semiconductor
两步退火方法对氧化物薄膜晶体管性能的改善作用，李民，兰林锋，本文使用两步退火的方法制备了基于氧化铟锌半导体的薄膜晶体管。与普通的只有单步退火方法制备的相比，这种薄膜晶体管具有更好的