【文件属性】：
文件名称：论文研究-Quasi-two-dimensional subthreshold voltage model for supra-deep-submicrometer MOSFET.pdf
文件大小：297KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-04 04:27:07
MOS devices
超深亚微米MOS晶体管阈值电压的准二维模型，申静，柯导明，本文提出了一个新的短沟道MOS晶体管表面势的准二维解析模型。在这个模型里，对沟道耗尽层横向剖分,由高斯定理导出沟道耗尽层电势��