IGBT模块损耗

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文件名称：IGBT模块损耗

文件大小：628KB

文件格式：DOC

更新时间：2016-10-18 14:34:19

IGBT

IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。