SDRAM在读写数据时重点注意以下信号-eMMC&DDR2培训

时间:2024-05-16 03:03:14
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文件名称:SDRAM在读写数据时重点注意以下信号-eMMC&DDR2培训

文件大小:1.35MB

文件格式:PPT

更新时间:2024-05-16 03:03:14

eMMC&DDR2

SDRAM在读写数据时重点注意以下信号: CLK:时钟信号,为输入信号。SDRAM所有输入信号的逻辑状态都需要通过CLK的上升沿采样确定。 CKE:时钟使能信号,为输入信号,高电平有效。CKE信号的用途有两个:一、关闭时钟以进入省电模式;二、进入自刷新状态。CKE无效时,SDRAM内部所有与输入相关的功能模块停止工作。 CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。只有当片选信号有效后,SDRAM才能识别控制器发送来的命令。设计时注意上拉。 RAS#:行地址选通信号,为输入信号,低电平有效。 CAS#:列地址选通信号,为输入信号,低电平有效。 WE#:写使能信号,为输入信号,低电平有效。


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