反激式电源中MOSFET的RCD缓冲电路设计分析GAI.pdf 时间:2020-09-27 11:23:44 【文件属性】: 文件名称:反激式电源中MOSFET的RCD缓冲电路设计分析GAI.pdf 文件大小:173KB 文件格式:PDF 更新时间:2020-09-27 11:23:44 电学 开关管作为开关电源产品中最贵的元器件之一,也是最容易损坏的元器件。一般开关管的损坏有两种原因:一个是温度,一个是 Vds 电压超标。 立即下载