文件名称：NAND_FLASH_内存详解与读写寻址方式
文件大小：384KB
文件格式：PDF
更新时间：2013-10-21 16:16:59
NAND_FLASH 内存 读写 寻址方式
一、内存详解 NAND 闪存阵列分为一系列128kB 的区块(block)，这些区块是NAND 器件中最小的可擦除实 体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程， 将已擦除的位从"1"变为"0"。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR 闪存能同时执行读写操作(见 下图1)。虽然NAND 不能同时执行读写操作，它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法，在系 统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将BIOS 从速率较低的ROM 加载到速率 较高的RAM 上。