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文件名称：低功耗有源UHF-RFID标签芯片射频前端的设计* (2009年)
文件大小：316KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-09 02:42:45
工程技术 论文
采用SMIC 0.18μm CMOS工艺，设计了一种低功耗的超高频有源RFBD标签芯片射频接收前端电路。其中，低噪声放大器（LNA）采用共源共栅源极电感负反馈差分结构，下变频混频器（MiXer）采用吉尔伯特（Gilbert）有源双平衡结构。通过整体及模块电路优化，该电路在较低功耗下仍然具有较好性能。仿真结果表明，整个接收端功耗仅为14mW，与传统射频前端芯片相比，功耗降低53%；整体增益为21.6dB，噪声系数7.1dB，三阶输入截止点-18.9dBm，满足有源UHF-RFID标签芯片低功耗高性能的应用需