高铜含量中孔Cu-Si二元氧化物的合成和表征 (2004年)

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文件名称：高铜含量中孔Cu-Si二元氧化物的合成和表征 (2004年)
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更新时间：2021-04-29 03:54:50
自然科学 论文 采用CTAB（十六烷基三甲基溴化铵）为模板剂，Na2SiO3·10H2O为硅源，Cu（NH3）4（NO3）2为铜源，在常温下成功地合成出含铜质量分数高达26%，具有中孔结构的硅基氧化铜复合材料。较系统地研究了反应时间、温度、pH值和铜掺入量等对产物性能的影响。用XRD，HRTEM，FTIR，BET，TG-DTA，ICP和XPS等手段对合成产物的结构进行了表征。