文件名称:论文研究-光刻限定区域制备硅纳米线 .pdf
文件大小:607KB
文件格式:PDF
更新时间:2022-09-05 14:29:27
硅纳米线;金属辅助化学刻蚀;光刻限定区域
光刻限定区域制备硅纳米线,于航,端木庆铎,基于金属辅助化学刻蚀机理,在光刻限定区域制备硅纳米线,实验过程中通过调整刻蚀时间来控制硅纳米线长度,通过扫描电子显微镜(
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硅纳米线;金属辅助化学刻蚀;光刻限定区域
光刻限定区域制备硅纳米线,于航,端木庆铎,基于金属辅助化学刻蚀机理,在光刻限定区域制备硅纳米线,实验过程中通过调整刻蚀时间来控制硅纳米线长度,通过扫描电子显微镜(