1、简介
STM8S内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM是由一组通用寄存器来控制的；所以我们可以通过这些通用寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。我们也可以自己对器件的 option byte 进行编程。在这里我们只简单的讲解如何对STM8S内部的数据存储区域（data memory）进行写操作、读操作、擦除操作。
2、存储架构图
STM8S内部存储包括：FLASH程序存储器（FLASH program memory）和数据EEPROM（DATA EEPROM）；
（1）数据EEPROM又包括：
- 数据存储区域（DATA MEMORY）：指定从地址0x00 4000开始，其中包括 [1 block] 的option byte，数据存储区域用于存储应用数据；
（2）FLASH程序存储器又包括：
- 用户启动区域（USER BOOT CODE）：指定从地址0x00 8000开始，其中包括UBC option bytes和 [128 byte] 的中断矢量（interrupt vectors）；
- 程序存储区域（MAIN PROGRAM）：用于存储应用程序代码；
所以我们的操作是在DATA MEMORY里面，在该区域的指定地址进行读取内容、写入内容、擦除内容。
3、操作方法
（1）FLASH_ReadByte( ADDRESS )：读取地址ADDRESS处的1字节内容
（2）FLASH_ProgramByte( ADDRESS , DATA )：写1字节的内容到地址ADDRESS处
（3）FLASH_EraseByte( ADDRESS )：在地址ADDRESS处删除1字节的内容
4、操作步骤
使用操作前的配置
（1）配置选择编程时间，选择标准模式；
（2）解除数据存储区域的写保护；
说明：UBC和DATA MEMORY都有写保护，其中UBC的写保护是永远无法解锁的，而DATA MEMORY的写保护是可以通过连续写入两个MASS密钥值来解除该区域的写保护的；第一个密钥为0x56，第二个密钥为0xAE；只有当两个密钥输入正确（输入到寄存器FLASH_DUKR中）且输入密钥的先后顺序正确时，才会解除写保护；否则该区域在下一次系统复位之前都将一直保持写保护状态。
（3）读取、写入、擦除等操作；
5、代码实现
/* Includes ------------------------------------------------------------------*/
#include "stm8s.h" /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
typedef enum { FAILED = , PASSED = !FAILED} TestStatus; /* Private variables ---------------------------------------------------------*/
__IO TestStatus OperationStatus; /**
* @brief How to Read / Write / Erase one Byte on FLASH memory.
* @par Examples description
* - Read one byte at address 0x40A5
* - Write its complement value at address + 1
* - Check programed value
* - Erase 2 byte (address 40A5 & 40A6)
* - Check the 2 bytes value is 0x00.
* @param None
* @retval None
*/
void main(void)
{ uint8_t val = 0x00, val_comp = 0x00;
uint32_t add = 0x00; /* Define FLASH programming time */
//Standard programming time fixed at 1/2 tprog
FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_PROGRAMTIME_STANDARD); /* Unlock Data memory */
//compare to two hardware key value: 0x56 and 0xAE
FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA); /* Read a byte at a specified address */
add = 0x40A5;
//read one byte from the address
val = FLASH_ReadByte(add); /* Program complement value (of previous read byte) at previous address + 1 */
val_comp = (uint8_t)(~val);
//modify one byte at the address
FLASH_ProgramByte((add + ), val_comp); /* Check program action */
val = FLASH_ReadByte((add + ));
if (val != val_comp)
{
/* Error */
OperationStatus = FAILED;
/* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
/* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
while ()
{
}
} /* Erase byte at a specified address & address + 1 */
//erase one byte at the address
FLASH_EraseByte(add);
FLASH_EraseByte((add + ));
/* Erase action */
val = FLASH_ReadByte(add);
val_comp = FLASH_ReadByte((add + ));
if ((val != 0x00) & (val_comp != 0x00))
{
/* Error */
OperationStatus = FAILED;
/* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
/* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
while ()
{
}
} /* Pass */
OperationStatus = PASSED;
/* OperationStatus = PASSED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is correct */
/* OperationStatus = FAILED, if the data written/read to/from DATA EEPROM memory is corrupted */
while ()
{
}
}
FLASH