[转帖]DRAM芯片战争，跨越40年的生死搏杀

DRAM芯片战争，跨越40年的生死搏杀

超级工程一览 ·2017-08-20 12:50·半导体行业观察

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DRAM是动态随机存储器的意思，也就是电脑内存。对于今天的消费者来说，电脑内存只是些绿色的小条条，售价不过几百元。然而这些小玩意，却走过了长达120年的复杂演进历史。从百年前的穿孔纸卡、磁鼓、磁芯到半导体晶体管DRAM内存。人们已经很难想象，一个电冰箱大小的计算机存储器，只能存储几K数据，售价却高达几万美元。在中国市场，1994年的时候，一根4M内存售价1400元，相当于两个月工资。1999年*921大地震，在北京中关村，一根64M SDRAM内存条，价格可以在几天内，从500元暴涨到1600元。

自1970年，美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来，已经过去47年。DRAM内存芯片市场，累计创造了超过1万亿美元产值（$1000,000,000,000美元）。企业间掺杂着你死我活的生死搏杀。美国、日本、德国、韩国、中国*的选手，怀揣巨额筹码，高高兴兴地走进来，却在输光光之后黯然离场。无数名震世界的产业巨头轰然倒地。就连开创DRAM产业的三大元老——英特尔、德州仪器和IBM，也分别在1986年、1998年和1999年，凄惨地退出了DRAM市场。目前，只有韩国三星和海力士，占据绝对垄断地位，在DRAM市场呼风唤雨，赚得盆满钵满。

从美国到韩国，这个巨大的转变，背后隐藏着半个世纪以来，那些不为人知的经济战争，足以载入经济学教科书。把欧美和中国，那些冒牌经济学家，极力鼓吹的“*市场经济”论调，彻底扫进垃圾堆。

——这是一场真正的经济战争，国与国之间的生死较量，惨烈程度远超液晶战争。

1949年，美国哈佛大学实验室的王安博士，发明磁芯存储器。这种古老的存储器一直使用到1970年代。直至被英特尔批量生产的DRAM内存淘汰。

内存百年——一不怕死的都冲进来

在叙述这场经济战争前，我们先从总体上，了解一下DRAM内存产业的脉络和现状。

电脑存储器的发明者，几乎都来自计算机巨头——美国IBM公司。IBM的历史最早可追溯到1890年代。美国统计学家霍列瑞斯（Hollerith Machin）研制了穿孔制表机，采用在卡纸上打孔的方式，记录统计数据。1890年，美国进行第12次人口普查时，便大量采用这种机器。直到1930年代，IBM每年仍要销售上千万张穿孔纸卡。

1932年，IBM公司的奥地利裔工程师古斯塔夫·陶斯切克（Gustav Tauschek），发明了第一种被广泛使用的计算机存储器，称为“磁鼓存储器”。直到1950年代，磁鼓依然是大型计算机的主要存储方式。1956年，IBM公司购买了中国人王安博士（上海人），拥有的“磁芯存储器”专利。磁芯存储一直使用至1970年代。1966年，IBM公司的研究人员，罗伯特·登纳德博士，发明了半导体晶体管DRAM内存，并在1968年获得专利。

然后，1970年美国英特尔，依靠批量生产DRAM大获成功，逼死了磁芯存储器。1976年日本厂商进攻DRAM市场后，差点将英特尔逼死。1985年美国发动经济战争，扶植韩国厂商进攻DRAM产业，又将日本厂商逼死。1997年美国发动亚洲金融风暴，差点将韩国厂商逼死。美国控制韩国经济后，韩国厂商又借着DRAM市场的暴利翻身崛起。此时不怕死的*人冲进DRAM市场，投入500亿美元却亏得血本无归。2007年全球经济危机，逼死了德国厂商，并将*DRAM厂商打翻在地，狠踩两脚。2017年，不怕死的*厂商冲了进来，准备投资660亿美元，进攻DRAM市场。

有人说，中国人疯了。

我说没疯，因为中国——做为世界第一大电子产品制造国，居然90%以上的内存靠进口，剩下那部分，居然连国产的产量，都控制在韩国企业手里。

2015年，韩国三星电子投资136亿美元（15.6万亿韩元），在韩国京畿道平泽市，建设12寸晶圆DRAM厂（Fab18）。该项目占地2.89平方公里，总产能预计将达到每月45万片晶圆，其中3D NAND闪存芯片将占据一半以上。主要生产第四代64层堆叠3D NAND闪存芯片。2017年7月4日三星宣布该厂投产。

行业高度垄断——韩国三星独占鳌头

我们来看看市场情况，就知道中国为什么非要进攻DRAM市场了。半导体存储器主要应用于台式电脑、笔记本电脑、手机、平板电脑、固态硬盘、闪存等领域，包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大类。2015年全球半导体存储器销售总额达772亿美元。在全球3352亿美元的集成电路产业中，占据23%的份额，是极为重要的产业核心部件。

其中DRAM内存主要用于台式电脑、笔记本电脑，全球市场规模约420亿美元，目前被韩国三星、海力士和美国镁光三家垄断，占据90%以上的份额。从1992年以来，韩国三星在DRAM市场已经连续25年蝉联世界第一，占据绝对垄断地位，市占率超过60%。似乎无人可以撼动它的地位。

NAND Flash闪存主要用于手机存储、平板电脑、SSD固态硬盘、大容量闪存，全球市场规模约300亿美元，垄断形势更加严重。韩国三星、海力士、美国镁光、英特尔、闪迪、日本东芝六家厂商，垄断了全球99%的产量。其中仅三星、海力士、东芝三家，就占了80%以上的份额。NOR Flash闪存属于小众产品，主要用于16M以下的小容量闪存，全球市场规模只有30亿美元，由美国镁光、韩国三星、*旺宏、华邦、*的易兆创新等7家企业瓜分。

行业高度垄断造成的结果，是前三大厂商可以轻易操纵产量和价格，用低价来挤垮竞争对手，或用涨价来谋取暴利。2016年由于全球内存芯片缺货，三星电子营业收入达到809亿美元，利润高达270亿美元。韩国海力士收入142亿美元，美国镁光收入128亿美元。

而中国厂商深受其害。中国是世界最大的电子产品制造国。2016年，光是中国就是生产了3.314亿台电脑，21亿台手机（其中智能手机占15亿台），1.78亿台平板电脑。与之相对应，2016年，中国进口DRAM产品超过130亿美元。中国需要的存储器芯片9成以上需要进口。国内DRAM产能也掌握在韩国海力士等外资厂商手中。

2015年起，美国镁光（Micron），在新加坡Woodlands投资40亿美元，扩建Fab 10X晶圆厂，主要生产第二代32层堆叠3D NAND闪存。2017年建成后，月产能14万片晶圆，采用16纳米工艺。

DRAM起源——IBM公司罗伯特·登纳德博士的杰作

1960年代早期，美国电子产业，主要由IBM、摩托罗拉、德州仪器、美国无线电公司（RCA）等老牌企业控制。他们依靠二战时期，美国*的巨额军工订单，发展成为产业巨无霸。二战后主要生产电视机、收音机等新兴的家用电器，并为美军武器提供电子装备。电子计算机也是新的产业热点，IBM具有领先优势。

IBM公司在1956年，花费巨资从王安手里，购买磁芯存储器专利，主要是为了解决大型计算机存储数据问题。磁芯存储器并不完美，不但磁芯容易损坏，而且价格昂贵，运行速度也慢。然而，磁芯存储器比磁鼓有个重要优点：电脑断电后，磁芯保存的数据不会消失。为解决磁芯存储器存在的不足，IBM进行了长达十几年的研究。

1961年，IBM在纽约州成立了以半导体为方向的托马斯·沃森研究中心。仙童当时是IBM的半导体器件供应商，并且发展非常迅速。1965年，仙童公司的戈登·摩尔，在《电子学》杂志发表文章预言：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数量，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这个预言后来被称为“摩尔定律”。

1966年，IBM托马斯·沃森研究中心，34岁的罗伯特·登纳德(Robert H. Dennard)博士，提出了用金属氧化物半导体（MOS）晶体管，来制作存储器芯片的设想。原理是利用电容内，存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。每一个bit只需要一个晶体管加一个电容（1T/1C结构）。1968年6月，IBM注册了晶体管DRAM专利(3387286号专利)。但是由于IBM正在遭受美国司法部的反垄断调查，拖延了DRAM项目商业化进度，这给其他公司带来了机会。

此时，晶体管集成电路已经成为产业热潮，大批美国公司投入这一领域。1969年，加州桑尼维尔的Advanced Memory system公司，最早生产出1K容量的DRAM，并出售给计算机厂商霍尼韦尔。但是由于存在DRAM工艺上的缺陷，霍尼韦尔后来向新成立的英特尔公司寻求帮助。

1972年前后，英特尔公司为美国Prime电脑公司，生产的微型电脑主板上，焊接了128颗1K存储容量的C1103 DRAM内存，组成128K容量的内存，以便运行类似DOS的操作系统。1GB=1048576KB，如今一根最普通的4G内存，容量等于这块老古董的3.2万倍。最大的单根内存容量达到128G，是这家伙的100万倍。

英特尔C1103——DRAM内存商业化大获成功

1967年，仙童半导体成立十年时，公司营业额已接近2亿美元（作为对比1967年中国外汇储备为2.15亿美元）。但是随着德州仪器、摩托罗拉、国家半导体在晶体管市场的崛起，仙童的利润迅速下滑，加之巨额研发投入，企业内部矛盾严重。仙童的行业第一地位，迅速被德州仪器取代。

1968年8月，仙童总经理鲍勃·诺伊斯，拉着研发部门负责人戈登·摩尔辞职。从风险投资家阿瑟·洛克那里拉来250万美元投资，正式成立了英特尔(Intel)公司，洛克出任董事长。Intel在英文中含有智慧和集成电路的意思，商标是花1.5万美元，从一家酒店手里买的。当时公司只有诺伊斯和摩尔两个员工，他们招兵买马时，又从仙童公司挖来了工艺开发专家安迪·格鲁夫，担任运营总监。

英特尔成立之初，继承了仙童的技术能力。公司制定的发展方向是研制晶体管存储器芯片，这是一个全新的市场。当时的半导体工艺主要有双极型晶体管，和场效应（MOS）晶体管。这两项工艺都是仙童的长项。但是哪一种工艺用来生产的芯片更好，他们并不清楚。于是公司成立了两个研发小组。1969年4月，双极型小组推出了64bit容量的静态随机存储器（SRAM）芯片C3101，只能存储8个英文字母。这是英特尔的第一个产品，客户是霍尼韦尔。

此时在美国电脑市场上，IBM已经成为无可争议的霸主，被称为蓝色巨人，其他电脑厂商在重压下苦不堪言。霍尼韦尔公司为了提高其计算机性能，正在寻找SRAM存储器，这为英特尔带来了市场机会。与此同时，仙童公司的市场主管杰里·桑德斯，又拉走了一批人，成立了AMD公司。由于融资困难，桑德斯找到了英特尔公司的诺伊斯寻求帮助，最后拉来了155万美元投资。此后的半个世纪里，英特尔和AMD成为一对难分难解的竞争对手。

1969年7月，场效应管小组推出了256bit容量的静态随机存储器芯片C1101。这是世界第一个大容量SRAM存储器。霍尼韦尔很快下达了订单。随后，英特尔研究小组不断解决生产工艺中的缺陷，于1970年10月，推出了第一个动态随机存储器（DRAM）芯片C1103，有18个针脚。容量有1Kbit，售价仅有10美元，它标志着DRAM内存时代的到来。

当时的大中型计算机上，还在使用笨重昂贵的磁芯存储器。为了向客户宣传DRAM的性能优势，英特尔开展全国范围的营销活动，向计算机用户宣传DRAM比磁芯更便宜（1比特仅需1美分）的概念。由于企业客户出于安全考虑，不会购买独家供货的产品，必须要有可替代的第二供货源。于是英特尔选择了加拿大的一家小公司，微系统国际公司（MIL）合作，授权他们用1英寸晶圆生产线进行生产，每年收取100万美元的授权费用。C1103的用户主要包括惠普电脑的HP9800系列，和DEC公司的PDP-11计算机，产量有几十万颗。

1972年，凭借1K DRAM取得的巨大成功，英特尔已经成为一家拥有1000名员工，年收入超过2300万美元的产业新贵。C1103也被业界称为磁芯存储器杀手，成为全球最畅销的半导体芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型计算机上，也开始使用DRAM内存。到1974年，英特尔占据了全球82.9%的DRAM市场份额。

加入DRAM战场——德州仪器、莫斯泰克、镁光

1973年石油危机爆发后，欧美经济停滞，电脑需求放缓，影响了半导体产业。而英特尔在DRAM存储芯片领域的份额也快速下降。因为他们引来了竞争对手，主要有德州仪器（TI）、莫斯泰克（Mostek）和日本NEC。

早在1970年英特尔发布C1103后，德州仪器便对其进行拆解仿制，通过逆向工程，研究DRAM存储器工艺结构。1971年德州仪器采用重新设计的3T1C结构，推出了2K产品。1973年德州仪器推出成本更低，采用1T1C结构的4K DRAM（型号TMS4030），成为英特尔的强劲对手。

莫斯泰克则是一家小公司，1969年，德州仪器半导体中心的首席工程师L.J.Sevin（MOS场效应管专家），拉着一帮同事辞职，在马萨诸塞州成立了莫斯泰克（Mostek）公司，工厂设在德州卡罗尔顿，主要为计算机企业配套生产存储器件。Mostek开发的第一个DRAM产品MK1001，只有1K容量。1973年，Mostek采用公司创始人Robert Proebsting设计的地址复用技术，研制出16针脚的MK4096芯片，容量提高到4K。16针脚的好处是制造成本低，当时德州仪器、英特尔和摩托罗拉制造的内存是22针脚。

凭借低成本，莫斯泰克逐渐在内存市场取得优势。而英特尔此时将精力放在开发8080处理器上，在微型计算机市场取得巨大成功。1976年莫斯泰克推出了采用双层多晶硅栅工艺的MK4116，容量提高到16K。这一产品帮助莫斯泰克击败英特尔，占据了全球75%的市场份额。

其后莫斯泰克又开发了64K容量的MK4164，到70年代后期，一度占据了全球DRAM市场85%的份额。但是随着日本厂商廉价芯片的疯狂冲击，短短几年时间，美国厂商就撑不住了。1979年，陷入困境的莫斯泰克，被美国联合技术公司（UTC），以3.45亿美元收购。后来又转卖给了意法半导体。

1978年，从莫斯泰克离职的三名设计工程师，拉来风险投资后，在爱达荷州一家牙科诊所的地下室，创办了镁光科技（Micron）。镁光签订的第一份合约是为莫斯泰克设计64K存储芯片。后来，镁光从爱达荷州亿万富翁，靠生猪养殖起家的J.R.Simplot那里拉来了投资，开始建设第一座DRAM工厂。为了节省投资费用，工厂建设在一家废弃的超市建筑里，肉类冷库被改造成净化车间，生产设备也是二手的。到1981年晶圆厂投产，只花了700万美元，而新建一座同类工厂的投资额，一般是1亿美元。镁光的第一批产品是64K DRAM，主要供应给正在飞速崛起的个人电脑制造商。像当时销量很高的Commodore 64电脑，就是采用镁光64K内存。到1984年，镁光推出了世界最小的256K DRAM。

与莫斯泰克类似，镁光的敌人来自日本。1980年，日本研制的DRAM产品，只占全球销量的30%，美国公司占到60%。到了1985年局势已经完全倒转。由于日本廉价DRAM的大量倾销，镁光*裁员一半，1400名工人失业。镁光只得向美国*寻求帮助。从1985年至1986年，英特尔连续亏损六个季度。DRAM市场份额仅剩下1%。当时，英特尔的年销售额为15亿美元，亏损总额却高达2.6亿美元，*关闭了7座工厂，并裁减员工。濒临死亡的英特尔，*全面退出DRAM市场，转型发展CPU，由此获得新生。

日本电子企业、汽车企业的凶猛攻势，最终引爆了美日两国的经济战争。

举国*——筹集720亿日元研制DRAM核心设备

在1970年代，日本尽管可以生产DRAM内存芯片，但是最关键的制程设备和生产原料要从美国进口。为了补足短板，1976年3月，经通产省、自民党、大藏省多次协商，日本*启动了"DRAM制法革新"国家项目。由日本*出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元（2.36亿美元）为基金，由日本电子综合研究所，和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——“VLSI技术研究所”（超LSI技術研究組合）。研究所地址就选在，位于川崎市高津区的NEC*研究所内。日立公司社长吉山博吉担任理事长，根橋正人负责业务领导，垂井康夫担任研究所长，组织800多名技术精英，共同研制国产高性能DRAM制程设备。目标是近期突破64K DRAM和256K DRAM的实用化，远期在10-20年内，实现1M DRAM的实用化。（VLSI是超大规模集成电路的简称）

在这个技术攻关体系中，日立公司（第一研究室），负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置，右高正俊任室长。富士通公司（第二研究室）研制可变尺寸矩形电子束扫描装置，中村正任室长。东芝（第三研究室）负责EB扫描装置与制版复印装置，武石喜幸任室长。电气综合研究所（第四研究室）对硅晶体材料进行研究，饭塚隆任室长。三菱电机（第五研究室）开发制程技术与投影曝光装置，奥泰二任室长。NEC公司（第六研究室）进行产品封装设计、测试、评估研究，川路昭任室长。

在产业化方面，日本*为半导体企业，提供了高达16亿美元的巨额资金，包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策，帮助日本企业打造DRAM集成电路产业群。到1978年，日本富士通公司，研制成功64K DRAM大规模集成电路。美国IBM、莫斯泰克、德州仪器也在同时发布了产品。这一年，由于日本64K动态随机存储器（DRAM）开始打入国际市场，集成电路的出口迅速增加。

1980年，日本VLSI联合研发体，宣告完成为期四年的“VLSI”项目。期间申请的实用新型专利和商业专利，达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型电子束曝光装置，采用紫外线、X射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等，取得了引人注目的成果。针对难度大的高风险研究课题，VLSI项目采用多个实验室群起围攻的方式，调动各单位进行良性竞争，保证研发成功率。各企业的技术整合，保证了DRAM量产成功率，奠定了日本在DRAM市场的霸主地位。

1970年代，日本松下电器京都府长冈工场，整齐排列的100台自动焊线机，只需要10个人操作。该厂从1968年开始半导体生产。1970年代美国向马来西亚、韩国、*转移电子制造业，以降低人力成本。日本则采用大规模自动化生产的方式来降低成本。日本报纸震惊地写道：半导体工厂的人都消失了。

获得丰厚回报——日本跃居世界第一大DRAM生产国

1977年，全球的个人电脑出货量总计大约4.8万台。到1978年已经暴增至20万台，市场规模大约5亿美元。其中美国Radio Shack公司（电器连锁零售店）出售的Tandy TRS-80电脑销量约10万台，均价600美元，销售额6000美元，采用盖茨新开发的操作系统，CPU则是从英特尔辞职的前首席设计师费金，研制的Zilog—Z80。苹果公司的Apple II销量达到2万台，平均单价1500美元，属于高端货，年销售额约3000万美元。个人电脑市场的高速增长，对内存产生了大量需求。这给日本DRAM厂商带来了出口机会。

做出口贸易的都知道，出口货不但价钱便宜，质量还要好。而在当时，美国人一般认为日本货质量低劣，远远比不上美国货。但是实际的结果令人大跌眼镜。1980年，美国惠普公司公布DRAM内存采购情况。对竞标的3家日本公司和3家美国公司的16K DRAM芯片，质量检验结果显示：美国最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本最差DRAM公司的芯片不合格率，高出整整6倍。虽然惠普碍于情面，没有点出这些公司的名字。但人们很快知道了，三家美国公司是英特尔、德州仪器和莫斯泰克，三家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司为了拿到订单，甚至在给销售部门的指示上明确要求，要比美国公司的价格低10%。

质量好，价格低，量又足，日本DRAM内存在美国迅速崛起。1982年，日本成为全球最大的DRAM生产国。这一年3月，日本NEC的九州工厂，DRAM月产量为1000万块（约1万片晶圆）。到了10月，月产量暴增至1900万块。其产量之大，成品率之高（良率超过80%），质量之好，使得美国企业望尘莫及。与产量相伴的是，原来价格虚高的DRAM内存模块，价格暴降了90%。一颗两年前还卖100美元的64K DRAM存储芯片，现在只要5美元就能买到了，日本厂商还能赚钱。美国企业由于芯片成品率低，根本无法与日本竞争，因此陷入困境。

1982年，美国50家半导体企业秘密结成技术共享联盟，避免资金人力重复投资。可是这些合作项目刚刚启动，就传来了坏消息。美国刚刚研制出256K DRAM内存，而日本富士通、日立的256K DRAM已经批量上市。1983年间，销售256K内存的公司中，除了富士通、日立、三菱、NEC、东芝之外，只有一家摩托罗拉是美国公司。光是NEC九州工厂的256K DRAM月产量，就高达300万块。日本厂商开出的海量产能，导致这一年DRAM价格暴跌了70%。内存价格暴跌，使得正在跟进投资更新技术设备的美国企业，普遍陷入巨额亏损状态。难以承受亏损的美国企业，纷纷退出DRAM市场，又进一步加强了日本厂商的优势地位。

1978年3月15日，日本朝日新闻，报道垂井康夫担任所长的VLSI技术研究所，研制成功电子束扫描装置。

低成本优势——美国厂商节节败退

1984年，日本DRAM产业进入技术爆发期。通产省电子所研制成功1M DRAM，三菱甚至公开展出4M DRAM的关键技术。日立生产的DRAM内存，已经开始采用1.5微米生产工艺。东芝电气综合研究所，则投资200亿日元，建造超净工作间。在这种超净厂房内，每一立方米的净化空气中，直径0.1微米的颗粒，不能超过350个。只有在这种条件下才能制备1M、4M容量的DRAM存储器。与此同时，东芝研制出直径8英寸（200mm）级的，世界最大直径硅晶圆棒。到1986年，光是东芝一家，每月1M DRAM的产量就超过100万块。

日本企业大量投资形成的产业优势，导致日本半导体对美国出口额，从1979年的4400万美元，暴增至1984年的23亿美元。五年间暴增52倍！而同时期，美国对日本出口的半导体，仅仅只增长了2倍。美国公司失去产品竞争力的后果，便是越想追赶越要投资，越投资亏损越大，陷入恶性循环。

以英特尔为例，本来到1978年前后，英特尔在莫斯泰克的猛攻下，已经成为美国DRAM市场的后进角色，美国市场占有率低于20%。但是随着1980年后，日本DRAM产品大量出口美国，英特尔的日子就过不去下了。虽然DRAM产品只占英特尔销售额的20%，但是为了保住这块核心业务，公司80%的研发费用投向了DRAM存储器，明显是本末倒置。等到英特尔好不容易开发出新DRAM产品，此时日本厂商已经在低价倾销成品，导致英特尔无利可图，连研发费用都赚不回来。1984年至1985年间，陷入巨额亏损的英特尔，*裁员7200人，仍不能扭转困局。1985年10月，英特尔向外界宣布退出DRAM市场，关闭生产DRAM的七座工厂。

1985年，全球半导体产业转入萧条，半导体价格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元，下降到1985年中旬的0.75美元。同期，256K DRAM由31美元下降到3美元。价格暴跌使美国英特尔、国家半导体等厂商撤出了DRAM市场。然而，就在同一年，日本NEC的集成电路销售额，排名世界第一，企业营业额是二战前的三百多倍，一举超越长期是行业龙头的美国德州仪器公司。凭借VLSI项目的成功，日本企业一举占据了64K、128K、256K和1M DRAM市场90%的份额。

1991年6月，日本驻美大使村田良平，与布什*的美国贸易代表卡拉·安德森·希尔斯，在华盛顿签署新的五年期《日美半导体协议》。美国希望在1992年底前，能够在日本半导体市场占据20%的份额。这个协议让美国企业喘口气，韩国半导体产业则异军突起。到1995年底，外国半导体在日本市场占有率超过了30%。希尔斯这个女人非常厉害，中国的很多对美贸易谈判，都是以她为对手。

韩国产业联盟——四大财阀全力进攻DRAM产业

1976年，就在日本启动VLSI研究项目的同时，韩国*在龟尾产业区（汉城东南200公里），建立韩国电子技术研究所（KIET），分为半导体设计、制程、系统三大部门。每个部门都交由具备美国半导体产业研究经验的专员领导。并招收美国归来工程师，设置试验生产线，协助企业研发集成电路关键技术。1978年，韩国电子技术所通过与美国硅谷的公司合资，建造了韩国第一条3英寸晶圆生产线（比*工研院晚2年），并在1979年生产出16K DRAM。尽管比日本落后几年，但这是韩国第一次掌握VLSI（超大规模集成电路）技术。

电子产业的景气环境，促使韩国LG、现代等财阀，都加入了半导体产业。韩国贸工部因此牵头，组建了韩国电子产业联盟（EIAK）。该联盟后来在韩国高科技产业发展中，扮演举足轻重的角色。而三星、LG和现代，成为韩国在半导体领域进行技术突破的主力军。1980年1月，三星电子与三星半导体合并，组成新的三星电子，专攻半导体领域。

到1983年，日本DRAM内存在美国市场大获成功的时候，眼红的韩国四大财阀——三星、现代、LG和大宇，全部安排资金，重资下注DRAM产业。它们的企业策略很明确：以较低的成本追赶日本DRAM产业。而韩国全斗焕*，采取了金融*化政策，松绑融资环境。1983年的股票价格上涨，让韩国各财阀能够轻易调动资金，投入到半导体产业。

韩国三星位于汉城以南30公里的龙仁市器兴的产业基地。

技术起步期——三星从美国日本弄来技术

1983年2月，三星集团创始人李秉喆在东京发表宣言：宣布三星集团正式进军半导体产业，并准备出资1000亿韩元（约1.33亿美元），执行这项计划。在此之前，三星已经建立半导体实验室，并聚焦在DRAM领域。三星之所以选择DRAM，是考虑到在所有存储产品中，DRAM的应用范围和市场潜力最大。但是从技术领域看，三星当时存在着巨大的技术鸿沟。如何获得先进核心技术呢？三星尝试从国外引进技术，连续遭到美国德州仪器、摩托罗拉、日本NEC、东芝、日立等公司的拒绝。

最终，三星通过美国几家陷入困境的小型半导体公司找到门路。当时美国镁光科技规模还很小，已经被日本廉价DRAM挤压得喘不过气，还要投钱研发256K DRAM产品。于是镁光将64K DRAM的技术授权给了韩国三星。三星又从加州西翠克斯（CITRIX）公司买到了高速处理金属氧化物的设计。

获得两家美国公司技术后，三星分别在美国硅谷和汉城南部30公里的龙仁市器兴（Giheung），设立两个研发团队，招募韩裔美国工程师，日以继夜地消化吸收技术。硅谷团队负责收集美国的产业技术资讯。器兴团队负责建设工厂，熟悉三星从日本夏普手里弄来的量产制程设备。日本夏普由于被通产省归类为消费电子公司，而非IC半导体公司，因此不受出口技术规范管制。三星找到这个漏洞，从夏普买来设备。六个月后，三星的工程师成功掌握了，量产64K DRAM的301项流程，和其中8项核心技术，顺利制造出生产模组。

1983年12月1日，三星电子社长姜振求召开记者招待会，宣布三星已经继美、日两国之后，成功自行研发出64K DRAM。1984年5月，三星第一座DRAM工厂在器兴竣工，工期只用了半年。四个月后开始批量生产的64K DRAM。这比美国研制的同类产品晚了40个月，比日本晚了6年。当时三星生产线上的员工，多数是农村来的妇女，文化素质不高，但是服从性好。工厂技术管理，主要靠三星从美国高薪招募回来的韩裔工程师。

引进技术——八仙过海各显神通

继三星之后，韩国LG、现代，也通过引进国外技术，积累了核心技术能力。1984年，LG半导体接管了韩国电子技术研究所（KIET），掌握了老旧的3英寸晶圆生产线。1986年，LG投资1.35亿美元，从美国AMD公司获得技术授权，并和美国AT&T下属的西方电子（Western Electric）成立合资公司。LG曾经试图购买AT&T的256K DRAM以超越三星，结果未能如愿。LG因此在64K产品上落后于三星和现代。直至1989年，LG与日立签署技术转移协议，才取得稳定的技术来源。由于韩国当时已经完成对1M和4M DRAM的技术攻关。于是日立将自己的1M和4M DRAM量产技术转移给LG，LG支付几百万美元的专利授权费用，产品以OEM方式直接出口给日立。日立这样做，主要是为了获得稳定的OEM供货来源，使日立公司能够腾出人力，专注于下一代16M DRAM的制程研发。同时，也可以使日立控制韩国竞争对手的产能。

韩国现代则比较特殊，这个财团以汽车造船和重型机械为主，几乎没有任何电子产业经验。但是为了保持在汽车等产业的技术竞争力，势必要发展电子工业。于是在1982年底，现代投资高达4亿美元，启动半导体研制项目。现代效仿三星，也在韩国和美国硅谷设置了两个研发团队。国内是由114名工程师组成的半导体实验室，硅谷建立了现代电子的子公司，由韩裔美国工程师组成。1984年，韩国现代从硅谷华人陈正宇博士，经营的美国茂矽（Mosel）公司，购买64K SRAM设计，开发出16K SDRAM芯片并量产。由于缺乏经验，导致现代的量产成品率低。（陈正宇随后回到*，成立了*茂矽电子。）

无法承受亏损压力——韩国大宇退出DRAM市场

面临技术障碍的现代电子，*转向OEM代工方式，获得技术来源。1985年前后，由于美国厂商在日本进攻下节节败退，美国德州仪器为降低制造成本，与韩国现代签订OEM协议，由德州仪器提供64K DRAM的工艺流程，改善产品良率。1986年，现代电子成为韩国第二家，量产64K产品的制造商（比三星慢了两年）。由于技术基础薄弱，现代的市场占有率远弱于三星和日本企业。由于DRAM市场不景气，现代承受了巨额亏损。幸好现代是大型财团，可以从汽车造船等其他部门，挪用资金来支持现代电子。事实上，现代电子从1982年投资4亿美元到DRAM产业，要等10年后才能收回全部投资。尤其在前三年，现代电子承受了数亿美元的巨额亏损。韩国大宇则在技术和资金压力下，完全退出了DRAM市场竞争。

1982年至1986年间，韩国四大财团在DRAM领域，进行了超过15亿美元的疯狂投资，相当于同期*投入的10倍。同时期，中国上海宝钢项目投资40亿美元左右。但是在电子工业方面，中国*几乎放弃了产业主导权。各省市胡乱花费了3-5亿美元，购买外国淘汰技术，根本未能形成技术竞争力。而且在广东、福建、海南、浙江等沿海省份，巨额走私日本、美国、*电子元器件的冲击下，中国电子工业彻底崩溃，就这样跪了三十年也没能爬起来。

面对韩国企业咄咄逼人的追赶态势，日本厂商以低于韩国产品成本一半的价格，向市场大量抛售产品，有意迫使韩国人出局。结果韩国大型财团不但顶住巨额亏损压力，追加投资，还让日本企业承担了美国反倾销的压力。美国与日本的纷争，让韩国渔翁得利。1992年，韩国三星超越日本NEC，首次成为世界第一大DRAM内存制造商，并在其后连续蝉联了25年世界第一。

1990年8月，韩国三星成为世界第三个推出16M DRAM内存芯片的企业。

韩国产业扩张——补齐短板抢占市场

从1990年开始，韩国三大企业已经具备了，赶超日本DRAM产业的技术体系建设。三星建立了26个研发中心，LG和现代各有18、14个研发中心。与之对应的是，三星的技术研究费用成倍增加。1980年三星在半导体领域的研发费用仅有850万美元，到1994年已经高达9亿美元。1990年三星还落后日本，第三个推出16M DRAM产品。到1992年，三星领先日本，推出世界第一个64M DRAM产品。1996年，三星开发出世界第一个1GB DRAM。与研发费用相对应，1989年韩国的专利技术应用有708项，1994年窜升至3336项。

但是作为产业后进者的韩国，仍然存在致命短板。韩国的核心生产设备和原料，主要从美国、日本进口。仅在1995年，韩国就进口了价值25亿美元的半导体生产设备，其中47%自日本进口，30%来自美国。由于日本*在设备管制方面的漏洞，韩国可以轻易买到日本先进设备，但是却很难从日本引进技术。为了减少对外国供应商的依赖，1994年，由韩国*主导，推出总预算2000亿韩元（2.5亿美元）的半导体设备国产化项目，鼓励韩国企业投资设备和原料供应链。韩国贸工部在汉城南部80公里的松炭和天安，设立两个工业园区，专门供给半导体设备厂商设厂。为了挖来技术，韩国以优厚条件招揽美国化工巨头杜邦、硅片原料巨头MEMC、日本DNS（大日本网屏）等厂商，在韩国设立合资公司。

完成量产技术积累后，韩国企业开始向产业广度扩张，以三星为例：三星从美国SUN公司引进JAVA处理器技术，从法国STM（意法半导体）引进DSP芯片技术，从英国ARM引进声音处理芯片技术，与日本东芝、NEC、冲电气（OKI）展开新型闪存方面的技术交流。通过与美国、欧洲企业建立联盟合作关系，三星在DRAM之外，获得了大量芯片产业资源，开始向微处理器（CPU）等领域快速扩张。

1995年美国微软公司推出Windows 95操作系统，受此影响，韩国与日本厂商疯狂扩充产能，导致DRAM产品供过于求，引发DRAM价格暴跌70%。但是在美国的刻意扶植下，韩国厂商仍然力压日本。1996年，韩国三星电子的DRAM芯片出口额达到62亿美元，居世界第一，日本NEC居第二。韩国现代电子以21.26亿美元居第三位。LG半导体以15.4亿美元居第九位。

虽然产能在不断增加，但为此投入的巨额资金，使得韩国和日本厂商都背负着巨额债务。当潮水退去时，才看出谁在裸泳。

*DRAM产业起步——宏碁电脑咬牙进场

1989年，*宏碁电脑（占股74%）与美国德州仪器（占股26%）合资，设立德碁半导体，投资31亿元新台币（1.2亿美元），由德州仪器提供技术，在新竹园区建设6英寸晶圆厂，生产1M DRAM产品。这是*第一家专业DRAM生产厂。台积电前厂长高启全，也在这一年，集资8亿元新台币，创立了旺宏电子，后来成为全球最大的只读存储器(ROM)生产商。

宏碁电脑最早是1976年，由施振荣等人创办的一家小公司，靠生产计算器起家，后来生产小教授掌上学习机壮大，1988年宏碁股票上市。凭借*股市疯狂上涨筹措到充裕资金，宏碁看好电脑行业，便一头扎进了DRAM产业。但是等到德碁设厂后，市场已经向4M DRAM过渡，宏碁只好追加投资。1990年前后，内存市场不景气加上*股市暴跌，逼迫德碁咬牙发行了9亿元的三年期特别股，年息5%，期满后由宏碁购回。

面对沉重的资金压力，宏碁还将16%的德碁股份，转让给了中华开发信托公司。宏碁的苦日子熬了三年，直到1992年日本住友半导体环氧树脂厂爆炸，引发DRAM价格谷底翻升，德碁才扭亏为盈。随后又建设了一座8英寸晶圆厂。但是由于景气周期影响，1997至98年德碁累计亏损超过50亿元，美国德州仪器也受不了亏损，干脆把DRAM业务甩卖给了镁光，跟*宏碁的技术合作自然也就终止了。在失去技术来源后，到1999年，宏碁将德碁半导体，高价出售给了台积电，账面获利超过200亿元新台币。德碁也被台积电改造成了晶圆代工厂。

工研院技术攻关——世界先进半途而废

面对日本、韩国日新月异的DRAM技术能力，1990年，*官方在美国顾问建议下，启动了“次微米制程技术发展五年计划”，目标是砸下58.8亿元（约2亿美元），攻克8英寸晶圆0.5微米制程技术，获得4M SRAM和16M DRAM的生产能力。联华电子、台积电、华邦电子、茂矽电子、旺宏电子、天下电子等六家企业参与其中。由于*并没有相关的技术能力，*方面找到了美国IBM公司，负责16M DRAM研制的卢超群博士等人，由他们在*设立钰创科技，将技术转移到*。

由于*产业技术薄弱，1990年代之后，工研院电子所和从美国回来的研发人员，成为*半导体产业发展的技术源头。与此同时，美国半导体产业在日本廉价芯片攻势下节节败退，大规模裁员也迫使一批硅谷华人，回到*创业。

1994年12月，*省经济部为了落实工研院的次微米计划成果，决定在新竹园区，投资180亿元（5亿多美元），由台积电占股30%，和华新丽华、矽统、远东纺织等13家公司合股，成立世界先进积体电路股份有限公司（简称世界先进），建设*第一座8英寸晶圆厂，以DRAM芯片为主攻业务。然而世界先进的经营状况很不好，2001年亏损92.93亿元，元气大伤。到2003年，世界先进严重亏损，累计亏损达194.12亿元，*退出了DRAM生产。在台积电主导下，世界先进彻底转型成了晶圆代工厂。从1994年至2003年，世界先进只有3年出现获利，亏损却长达7年。究其亏损原因，在于企业投资规模太小，产能微不足道，根本无力与韩国三星、日本NEC等巨无霸，进行同场厮杀。而张忠谋并不看好*DRAM产业，台积电的晶圆代工产能却供不应求，于是张忠谋力争将世界先进，向晶圆代工厂转型。

世界先进是*唯一一家，能够进行DRAM产业技术研发的企业。其他企业全部是花费巨额资金，从日本、美国获得制程技术授权。每年付出的技术费用，占销售额3%以上。再加上巨额进口设备投资，使得*企业根本无法与掌握自主技术研发能力的韩国企业竞争。世界先进的垮台，最终导致*DRAM产业如同无根之木，注定了失败命运。

力晶疯狂投资——十年亏损一年赚回

1993年，*电脑主板生产厂——精英（力捷）电脑的董事长黃崇仁，在全球DRAM严重缺货的情况下，跑到日本东芝要货，却吃了闭门羹。黃崇仁决定自行投资生产DRAM。在从日本三菱电机获得技术授权后，1994年黃崇仁投资4亿元新台币，在新竹园区成立了力晶半导体。由于财力薄弱、技术薄弱，力晶面临极大的困难，直到1996年才建成了第一条8英寸生产线，以0.4微米工艺生产16M DRAM/SDRAM。1998年2月力晶股票成功上市，但是由于0.18微米制程的生产良率问题，加上市场不景气，到1998年底，力晶税前亏损38亿元，四年累计亏损65.69亿台币，已经到了存亡关头。黃崇仁在情急之下，找张忠谋帮忙。张忠谋趁机用台积电控股的世界先进，向力晶注资27亿元，获得日本三菱电机和兼松商社释出的11%力晶股份，成为力晶最大股东。在张忠谋引导下，力晶也开始向晶圆代工转型。

2000年DRAM产业景气大好。此时只有一座8英寸厂的力晶，宣布投资600亿元（19亿美元）巨额资金，建设12英寸晶圆厂。这是一项极为疯狂的投资。工程开始后，景气却迅速下滑，为了筹集资金，力晶发行了2亿美元公司债。到2002年12寸新厂建成，力晶连年亏损。由于三菱电机将DRAM业务并入尔必达，力晶于是和尔必达结成同盟，获得90纳米技术授权。2003年力晶又动工兴建了第二座12英寸厂。直至2004年，力晶的12寸晶圆厂，成为全球唯一将256M SDRAM生产成本，降至3美元以下的厂商。当年盈利高达165.49亿元（约5亿美元），把过去十年赔掉的钱，一次赚了回来。力晶的股价也顺势大涨，成为*DRAM股王。

2004年是一个节点，英特尔在向业界力推新规格的DDR2内存，以淘汰DDR内存。全球DRAM产业从8英寸厂向12英寸厂转移产能，以降低制造成本。一片12英寸晶圆，虽然材料成本比8英寸晶圆贵52%，但是产量是8英寸晶圆的2.25倍，可以使产品颗粒成本下降30%左右。但是8英寸厂的投资额约10-15亿美元，12英寸厂的投资额，竟暴涨至20-25亿美元。在2000年市场景气时，几乎每一家厂商都放话要盖12英寸晶圆厂，然而经过两年景气衰退，还敢投资建设12寸厂的业者，只剩下了八家——分别是韩国三星、海力士，美国镁光，德国英飞凌，日本尔必达，*的茂德、南亚科技和力晶。无力建设12寸晶圆厂的公司，也就只好洗牌出局，去做晶圆代工了。2006年力晶与日本尔必达合作成立瑞晶电子，用老旧的8寸生产线，专门做晶圆代工业务。并规划5年内在*中部科学园区，建设4座月产能6万片的12英寸晶圆厂。总投资额高达4500亿元新台币（约136亿美元）。同年瑞晶又将旺宏电子闲置的12寸生产线收购过来，专门进行代工生产。

土豪股东——台塑集团重资下注

1995年3月，*龙头企业台塑集团，成立南亚科技，在台北县南林园区设立8英寸DRAM厂，月产能3万片。技术来自日本冲电气（OKI）授权的16M DRAM。台塑为了解决晶圆供应问题，还投资42亿元台币，与日本小松合资成立了专门生产高纯度晶圆棒材的工厂。这就使南亚具备了成本优势。南亚的每片8寸晶圆制造成本约1000美元，比同业的1300-1400美元要低很多。

由于遇到景气衰退，南亚科技从建厂起就连年亏损。但是凭借台塑集团资本雄厚，1998年7月，南亚科技在DRAM市场最低迷的时候，开工建设第二座8寸晶圆厂，并与美国IBM签订了0.2微米64M DRAM的技术授权协议。南亚当时是IBM服务器DRAM的主要供应商之一。到2000年8月，南亚试生产的0.175微米64M DRAM开始大量投片，良率达到70%，每片8寸晶圆可以产出1050颗成品，加上封装测试费用，每颗成品的成本只有2美元左右。如果按照月产能3万片计算，每月可生产3150万颗左右的DRAM芯片颗粒，价值超过6000万美元。但是由于产业不景气，2001年南亚亏损115.64亿元（3.5亿美元）。幸亏台塑集团筹集巨资才度过难关。

到2002年，全球DRAM产业不景气，由英特尔主推的Rambus内存，因技术原因败给了DDR内存，DDR成为市场主流。而南亚凭借DDR内存的成本优势，盈利100亿元（2.86亿美元），成为*五大DRAM厂中，唯一盈利的厂商。老牌DRAM大厂华邦电子，由于不堪亏损，干脆转去做晶圆代工了。

2003年1月，南亚科技与德国英飞凌合资，成立华亚科技，双方各占股46%，投资22亿美元（820亿元新台币），建设12英寸晶圆厂，产量由双方平分。到2006年，*一度轰轰烈烈的DRAM产业热潮，还剩下六家厂商。其中三家是自主品牌厂商：南亚科技、茂德和力晶。还有三家是专做DRAM代工的厂商：华邦电子、新成立的华亚科技和瑞晶。其中华亚为德国英飞凌代工，瑞晶为日本尔必达代工生产DRAM。

德国英飞凌——*茂德、南亚、华亚的技术后

英飞凌前身是德国西门子的半导体部门。1996年，*茂矽电子（占股62%）与西门子的半导体部门合资，投资450亿元新台币，在新竹园区成立茂德电子，建设8英寸晶圆厂。采用西门子提供的制程生产DRAM晶圆，产量由两家分配。1998年由于产业不景气，西门子半导体部门从集团分离出来，成立了英飞凌，继承了西门子在半导体领域的三万多项专利，是当时仅次于三星、镁光的第三大DRAM厂商，2001年营业额57亿欧元。

2001年起，由于DRAM产业不景气，茂矽亏损300亿元新台币，并大量质押茂德股票，引发与英飞凌的矛盾。2002年10月，英飞凌突然与茂矽中断合资关系，终止技术授权合约，并停止采购茂德的晶圆。此后茂矽大量回购茂德股票，英飞凌则转向与南亚科技合作，由此组建了华亚半导体。英飞凌撤资后，茂德为了救急，先后与英飞凌的对手，日本尔必达和韩国海力士达成合作关系。此后的发展非常艰难，2007年金融危机后，茂德便一直亏损，到2012年破产时，负债高达700亿元（约21亿美元），已经完全资不抵债。

英飞凌与南亚科技合作建设12英寸晶圆厂，希望通过合资方式掌握产能，挑战三星电子，目标是拿下全球30%的市场。然而建厂耗资巨大，市场却不景气。2005年，全球DRAM市场增长了57%，但内存平均价格下跌了40%。英飞凌为了规避风险，于是将亏损严重的DRAM业务分离出来，于2006年3月成立了奇梦达（Qimonda）。（2009年奇梦达破产后被中国浪潮集团并购。）

与此同时，2006年3月，南亚科技再次砸下800亿元台币（24亿美元），开工建设第二座12英寸晶圆厂。原因是2005年7月，微软推出了Windows Vista操作系统。*厂商押宝该系统，会让消费者购买更多的DDR2内存。然而市场对Vista的冷淡反应，让人措手不及。更严重的是，一场席卷全球的金融风暴，彻底摧毁了*DRAM产业的未来。

全球金融危机——压垮*DRAM产业

2007年8月，由美国次贷危机引发的金融风暴席卷全球。由于内存供过于求，价格出现全面崩盘。2007年1月，512M 667MHz DDR2颗粒的价格还有6美元，到年底已经跌破成本价，仅为1.09美元。反映在中国市场上，2007年初，一根1GB 667MHz DDR2内存条的售价还在250元左右，甚至在暑期一路涨到360元。但是从8月中旬起，由于内存厂商降价清空库存，以应对经济危机，中国海关趁机放宽内存条进口，导致内存价格一路暴跌。到年底1G内存条的价格仅为110元，现代512M DDR2内存条的价格仅有65元。囤货炒内存条的商家因此亏到吐血。

反映到企业业绩上，全球DRAM厂商更是亏到哭。从2007年至2008年底，全球DRAM行业累计亏损超过125亿美元，*DRAM产业更是全线崩盘。其中资本实力最为雄厚的南亚科技，从2007年起，连续亏损了六年，累计亏损1608.6亿元（约49亿美元），最惨的时候每股净值只剩下0.09元。华亚科技从2008年起，连续亏损五年，累计亏损804.48亿元（约24.4亿美元）。这两家由台塑集团投资的DRAM厂，一共亏损2413.08亿元（约73亿美元）。如果不是台塑集团实力雄厚，南亚与华亚早就破产倒闭了。

2008年最惨的时候，力晶亏损565亿元，茂德亏损360.9亿元。几乎每天亏损1亿元。*五家DRAM厂共亏损1592亿元（约48亿美元），创历史纪录。2009年初，*所有DRAM厂家放无薪假。

致命缺陷——*缺乏自主核心技术

2008年金融危机越烧越旺时，*官方便提出将*六家DRAM厂整合的计划。与韩国相比，*六家DRAM厂占全球市场份额还不到20%。也就是说，六家捆到一起，还抵不上韩国三星一家的产能。问题还不仅仅如此，*厂商主要存在三个致命问题：一没有核心技术研发能力，要花大价钱从日本、美国、德国厂商手里购买技术授权。国际上DRAM厂的平均研发费用要占企业营收的15-20%，而*仅6%。每年*向外国支付的技术授权费用超过200亿元新台币（约6亿美元）。仅2007年，*四大DRAM厂支付的技术授权费就高达4.7亿美元。

二是没有制程设备研制能力，*每年要花费十几亿美元巨额资金，去购买日本、美国的设备。可是今年花十几亿美元进口的90纳米设备，明年别人已经采用65纳米制程了。日本、韩国都拥有一定的设备研制能力，在设备成本上要远低于*。三是*没有市场纵深，全要仰赖日本、韩国、美国、*厂商的采购订单。平时日本、韩国厂商能扔些订单到*。而一遇经济危机，日韩订单萎缩，*厂商立时陷入困境。*的DRAM产品在容量、性能、品质、价格、品牌上都处于劣势，怎么跟韩国竞争？

*这种只图快进快出，靠购买技术授权、制程设备来快速扩充产能、赚快钱的经营模式。在面临韩国、日本财阀式经济集团的重压时，根本不堪一击。

*DRAM产业整合——乌合之众难成气候

为挽救债台高筑的DRAM厂，*官方的计划是进行产业整合。成立“*记忆体公司”（* Memory Company，TMC），由联华电子副董事长宣明智负责，对六家DRAM厂进行控股整合。同时与日本尔必达或美国镁光谈判，合作推进自主技术研发。*官方希望TMC是一家民营企业，*投资越少越好，最多不超过300亿元新台币。

由于日本尔必达也在金融风暴中陷入困境，因此愿意向*提供全部核心技术，以换取*的援助资金。但是*各家DRAM厂却并不愿意整合。因为各家公司背后都有不同的技术合作对象，采用的技术不同。而且*官方的整合计划，并不能挽救各家工厂的财务困境，因此整合工作很难推进。与此同时，*媒体也在火上浇油。如2009年3月7日，**时报，以《国发基金小心掉进大钱坑》为题，指称TMC是个钱坑，DRAM产业面临产能过剩、流血竞争等局面。

到2009年10月，“DRAM产业再造方案”在立法院审议时遭到否决，禁止国发基金投资TMC公司。与此同时，由于奇梦达破产和Windows7带来的换机热潮，推动DRAM市场景气回转，产品价格持续飙升。之前陷入困境的各家厂商，情况出现好转。日本尔必达也因此拒绝向*转让核心技术。*DRAM产业整合计划，就此彻底失败。

市场景气的暂时回暖，并不能改变*DRAM产业小而散、缺乏技术、缺乏竞争力的局面，注定了它们被淘汰的命运。2010年，韩国三星砸下18万亿韩元（约170亿美元，合1100亿元人民币）巨额资金，倾全力发展DRAM和NAND闪存技术，血洗内存产业。日本、*厂商迅速败下阵来。

2012年2月，日本尔必达宣布破产，负债高达4480亿日元（89.6亿美元），是日本史上最大的破产案件。同月，*茂德申请破产保护，亏损总额超过700亿元新台币（约21亿美元）。南亚科技在2012年亏损360亿元，等于每天赔掉1亿元。自从奇梦达破产后，南亚科与美国镁光结成联盟。台塑旗下的华亚科技，从2008年至2012年，连续亏损五年，亏损总额达744.98亿元（约22.6亿美元）。2013年至2014年，华亚科技扭亏为盈，获利高达741亿元（含巨额退税）。盈亏相抵，仅亏损4亿元新台币。2015年12月，美国镁光以32亿美元（206亿元人民币），收购*华亚科技67%的股份。台塑集团终于甩掉了这个烫手山芋。

综观*DRAM产业发展三十年来，最终落得一地鸡毛。究其根源，在于*省*盲目听信美国主导的*市场经济理论。1980年代，*省*还能在产业政策、产业技术上，对DRAM产业进行扶持。到2000年后，尽管陈水扁*提出了“两兆双星”产业政策，但是对DRAM产业、液晶面板产业缺乏扶持力度，缺乏产业主导能力，导致*DRAM、液晶面板产业，在小而散的错误道路上越走越远，最终被韩国企业全面击溃。

*的产业失败经历，是用500亿美元巨额投入换来的。这个教训足够深刻。

全球DRAM产业复杂的竞争与合作关系，如同春秋战国时期的合纵连横。强者恒强，高度垄断。

*入局——一场只许胜不许败的战争

在外资厂商市场垄断下，华为、中兴、小米、联想等中国手机、PC厂商，经常遇到DRAM缺货情况。而在中国国内，仅有中芯国际具备少量DRAM产能，根本无法实现进口替代。

怎么办呢？有钱可以买吧？2015年7月，中国紫光集团向全球第三大DRAM厂商，美国镁光科技，提出230亿美元的收购要约。结果被镁光拒绝了，理由是担心美国*，会以信息安全方面的考虑，阻挠这项交易。

那就自己造吧。于是从2016年起，中国掀起了一场DRAM产业投资风暴。紫光集团宣布投资240亿美元，在武汉建设国家存储器基地（武汉新芯二期12英寸晶圆DRAM厂），占地超过1平方公里，2018年一期建成月产能20万片，预计到2020年建成月产能30万片，年产值超过100亿美元。计划2030年建成月产能100万片。福建晋华集团与*联华电子合作，一期投资370亿元，在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂，2018年建成月产能6万片，年产值12亿美元。规划到2025年四期建成月产能24万片。合肥长鑫投资494亿（72亿美元），2018年建成月产能12.5万片。

2017年1月，紫光集团宣布投资300亿美元(约2000亿人民币)，在江苏南京投资建设半导体存储基地，一期投资100亿美元，建成月产能10万片，主要生产3D NAND FLASH（闪存）、DRAM存储芯片。

上述四个项目总投资超过660亿美元（4450亿元人民币）。确实有点疯狂。

从上文世界DRAM产业的发展历史，就会让人看清一件事情

——拿钱砸死对手，少砸一点就会死！不相信的都死了！