STM32 FSMC总线深入研究
由于CPU与FPGA通信的需要，以及对8080总线的熟悉，首选采用了STM32的FSMC总线，作为片间通信接口。FSMC能达到16MHz的写入速度，理论上能写20fps的1024*768的图片哈哈。（当然实际上是不可能的，就算是DMA传输，数据源也跟不上，实际上刷模拟的图片每秒10fps，刷的很high）当然这不是本篇的要点，这里主要研究STM32的FSMC接口，将速度提升到极限。
1. FSMC协议分析
如下为ILI9325的8080接口的协议
CS（片选信号）：低电平片选有效，高电平失能（默认为高：失能）
RS（数据寄存器）：低电平写寄存器，高电平写数据（默认为高：写数据）FSMC默认为低。。。。
RD（读信号） ：低电平有效，上升沿写入数据，高电平失能（默认为高，失能）
WR（写信号） ：低电平有效，上升沿写入数据，高电平失能（默认为高，失能）
FSMC写SRAM模式如下：
(1)读操作
（2）写操作
HCLK为系统时钟72MHz
综上，分析出FSMC与8080接口协议异同点
（1）同：CS，RS，RD有效电平都一样，单个字节的写入与读取时序完全一样
（2）异：
A：8080 默认RS为高，而FSMC默认RS为低
B：8080接口协议能保持CS，RS等有效，连续写数据，而FSMC以此只能输出一个数据。
C：8080协议没有地址线，而FSMC还有地址线，这使得数据输出不连续。
2. FSMC时序研究
下图为FSMC写命令与数据的时序图，从中根据上图可以分析出FSMC可以实现16M的数据写入。FSMC的信号线翻转非常快，这使得IC或者FPGA时序设计上得非常严谨。FSMC最大实现了72MHz（66.7到100MHz之间，实际为72MHz，HCLK）的翻转速度，这要求外部器件支持那么高的速率。
寄存器配置（寄存器+数据）
连续数据写入（0xBB：写数据开始）,命令后，RS默认拉低（FSMC和标准不一样的地方）
数据建立很快
写数据，然后默认RS拉低
整体的时序可模拟为：
task task_writecmd;
input [15:0] cmd;
begin
mcu_cs = 0;
mcu_rs = 0;
mcu_data = cmd;
#20;
mcu_we = 0;
#20;
mcu_we = 1;
#15;
mcu_rs = 1;
mcu_cs = 1;
#20;
end
endtask
task task_writedata;
input [15:0] data;
begin
mcu_cs = 0;
mcu_rs = 1;
mcu_data = data;
#20;
mcu_we = 0;
#20;
mcu_we = 1;
#15;
mcu_rs = 1;
mcu_cs = 1;
#20;
end
endtask
3. FSMC接口初始化
根据手册，相关参数如下表所示。这里我发现所谓最小值还能设置为最小，但实际速度差不多。FSMC协议时间参数如下所示：
有人跟我说，手册是保守的；有人跟我说，在小就是默认值了。我不太理解。感觉速度每提升，应该在小就是默认了。不过，反正我追求速度的极限。
以下是FSMC-SRAM模式下的初始化代码，分享的同时，希望对你有用。
/* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
typedef struct
{
vu16 LCD_REG;
vu16 LCD_RAM;
} LCD_TypeDef;
#define LCD_WriteCmd(cmd) LCD->LCD_REG = cmd
#define LCD_WriteData(data) LCD->LCD_RAM = data
/* LCD is connected to the FSMC_Bank1_NOR/SRAM4 and NE4 is used as ship select signal */
#define LCD_BASE ((u32)(0x60000000 | 0x0C000000))
#define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)
void LCD_FSMCConfig(void)
{
FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef p;
/*-- FSMC Configuration ------------------------------------------------------*/
/*----------------------- SRAM Bank 4 ----------------------------------------*/
/* FSMC_Bank1_NORSRAM4 configuration */
//标准
// p.FSMC_AddressSetupTime = 1;
// p.FSMC_AddressHoldTime = 2;
// p.FSMC_DataSetupTime = 2;
// p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 1;
// p.FSMC_CLKDivision = 1;
// p.FSMC_DataLatency = 2;
//超快
p.FSMC_AddressSetupTime = 0;
p.FSMC_AddressHoldTime = 0;
p.FSMC_DataSetupTime = 1;
p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0;
p.FSMC_CLKDivision = 0;
p.FSMC_DataLatency = 0;
p.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
/* Color LCD configuration ------------------------------------
LCD configured as follow:
- Data/Address MUX = Disable
- Memory Type = SRAM
- Data Width = 16bit
- Write Operation = Enable
- Extended Mode = Enable
- Asynchronous Wait = Disable */
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM4;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable; //2.0
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &p;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &p;
FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
/* BANK 4 (of NOR/SRAM Bank 1~4) is enabled */
FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM4, ENABLE);
}
原文：
http://group.chinaaet.com/116/48112