td（on）（turn on delay time）：是Vgs从0到达Vgs（th）所用的时间。这段时间是给输入电容Cgs+Cgd充电，使Vgs到达Vgs（th）。
tr（rise time）：是Vds从Vdd开始下降到MOS完全导通时的Vds（on）所用的时间。此阶段中，Vds下降时的Vgs和Id保持恒定。由于存在大电流和大电压，所以会产生很大的功耗。所以应该通过减小gate端的串联电阻和Cgd来减小上升时间。之后，Vgs继续增加，直到到达外部提供的电压值，但是Vds和Id在这段时间是恒定的，不
受影响。
td（off）（turn off delay time）：MOS导通时Vgs为外部提供的
电压，当turn off开始时，Vgs开始减小。td（off）就是Vgs
减小到使Id达到饱和电流的Vgs值时所用的时间。这段期间
Vds和Id保持不变。
tf（fall time）：这段时间是在td（off）之后减小到Vgs的阈值电
压时所用的时间。此时段，Vds从MOS导通时的电压增加
到外部提供的电压，Id从负载电流减小到0。与turn-on状态
时存在功耗一样，在turn-off状态时也存在功耗。所以，下
降时间也要尽可能的减小。
? t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th） ，导电沟道没有
形成，MOSFET仍处于关闭状态。
? [t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，
MOSFET开启，DS电流增加到ID, C gs2 迅速充电，Vgs由Vgs（th）指
数增长到Va
? [t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，C gd
电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了
栅极电压对C gs 的充电,从而使得V gs 近乎水平状态，C gd 电容上电压增
加,而DS电容上的电压继续减小;
? [t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压
,Millier效应影响变小，C gd 电容变小并和C gs 电容一起由外部驱动电
压充电, C gs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态
,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
Ciss=Cgs+Cgd、 Crss=Cgd、 Coss=Cgd+Cds
当Cgd由于miller效应而成倍增加时，他将会减弱MOS的频率特
性。
☆ 频率特性：MOS的频率响应受输入电容的充、放电能力的限制。如
果Cgs和Cgd很小，MOS頻率響應速度很快。因为输入电容与温度无关，所以，MOS的开关频率也与温度无关
MOS選取主要分以下幾個步驟：
? 第一步：選用N溝道還是P溝道
N-MOS栅极低电平时关闭，高电平时开启，P-MOS恰好相反；相同电流
和电压定额的MOS，一般P-MOS导通电阻比N-MOS大，开关速度也比N-
MOS慢，所以开关电路中一般只有常开的总线里才用P-MOS。
? 第二步：確定額定電壓和電流
要确保DS两端最大电压不能超过其额定电压BV DSS， 这个最大电压要从
整个工作温度范围内去考量，还要包括其他电子设备诱发的电压瞬变和
突起。同时最大电流包括尖峰电流都不能超过MOSFET的额定电流。
? 第三步：確定熱要求
选择MOS还要考虑系统的散热要求，采用最坏情况的计算结果，以保证
系统不会失效。
第四步：效率考量
在系统稳定的情况下，最重要的还是效率的提高，要提高效率，就要选用
较快的开关速度（Q G 、R G 比较小的）和较小的导通电阻，但是这也意味着
成本的增加，所以要根据实际情况进行选取，比如H-side MOS损耗主要集
中在开关阶段，就要选用低Q G 的，而L-side MOS损耗主要在导通阶段，要
注意选用导通电阻比较小的MOS。
量测之前，先把GS两端短路放电，然后用欧姆表量测DSG任意两端电
阻为M欧级，假若先量测GS，再量测DS两端电阻，其阻值会明显
变小或者通路。
用二极管档量测S D（S正D负）两端会有一个电压，其他任意两端均
为无穷大，如果量测完GS端再量测SD和DS会发现有一个很小电压
，再短路GSpin进行放电再量测DS就会重新变成无穷大，这些都应
该是一个正常的MOS所具备的。
当上管刚开启的时候，MOS的Ls和C DS 震荡产生ring，当这个ring比较
大时有可能击穿下管，这种现象称为Overshoot。
解决方法：在栅极加电阻以降低开关速度；在下管并联 snubber来降低
overshoot的能量。
